摹拟电子器件
相干信息
大多代谢物等级分类
超高压决裂推动处理器
HSA6880-S/Q
5A 完全掩护功效 MOS/IGBT/ SiC 单通道断绝驱动
产物特征:
•单节点带彻底挡拆断绝关系能够
•Source / Sink 5A 键盘输入直流电压
•高共模瞬态抑制(CMTI):100V/ns
•传布尽早不大于90 ns
•脉冲信号宽偏色不大于±20 ns
•整合齐全掩体副作用:
⁻去饱合探测无球(DESAT) VTH-DESAT = 7.1 V
⁻软关断(Soft Turn Off) ISTO = 50 mA
⁻有源米勒钳位(Active Miller Clamp)IMC = 2 A
⁻副边带发生反应欠压锁住无球(UVLO)VTH-UVLO = 12.2 V
⁻陋习感觉评估报告请示报告(DESAT & UVLO)tFAULT = 4. 8 μs
•兼容TTL和CMOS的输人端口号
•副边撑持单吸泵或双极供电轨主线任务
•30V 的宽发送电源开关人数
•UL1577认正,VISO = 3.75 kVRMS
•AEC-Q100 Grade 1
•适合使用VDE 0884-10规程要求
•SOIC-16WB宽体封装形式 与AVAGO ACPL-344JT P2P 兼容
目标利用:
•HEV/EV带动逆变电源
•车载电子专研器及专研桩
•用到HEV/EV中的DC/DC旋钮电源开关换算器
•变逆器、系列伺服、建筑机电驱动软件
•处事器、通信、财产采用中控制电源开关适配器切换器
•不超时电压
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